MRF8S9100HR3 MRF8S9100HSR3
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
GSM TEST SIGNAL
Figure 11. EDGE Spectrum
-- 1 0
-- 2 0
-- 3 0
-- 4 0
-- 5 0
-- 6 0
-- 7 0
-- 8 0
-- 9 0
--100
200 kHz Span 2 MHz
Center 1.96 GHz
-- 11 0
400 kHz
600 kHz
400 kHz
600 kHz
(dB)
Reference Power
VWB = 30 kHz
Sweep Time = 70 ms
RBW = 30 kHz
VDD
=28Vdc,IDQ
= 500 mA, Pout
=72WAvg.
f
MHz
Zsource
?
Zload
?
820
3.81 -- j1.72
1.61 -- j0.48
840
3.99 -- j1.80
1.62 -- j0.34
860
4.13 -- j1.97
1.62 -- j0.21
880
4.20 -- j2.22
1.63 -- j0.09
900
4.14 -- j2.49
1.62 + j0.02
920
3.96 -- j2.74
1.60 + j0.12
940
3.67 -- j2.95
1.57 + j0.22
960
3.31 -- j3.07
1.53 + j0.32
980
2.91 -- j3.09
1.47 + j0.42
Zsource
= Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Zload
= Test circuit impedance as measured from
drain to ground.
Figure 12. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相关PDF资料
MRF8S9120NR3 FET RF N-CH 900MHZ QM780-2
MRF8S9170NR3 FET RF N-CH 900MHZ 28V OM780-2
MRF8S9200NR3 MOSFET RF N-CH 58W OM780-2
MRF8S9220HSR3 FET RF N-CH 900MHZ 28V NI780S
MRF8S9260HSR3 FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-880HS
MRF9002NR2 MOSFET RF N-CHAN 26V 2W 16-PFP
MRF9030NBR1 IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2
MRF9045LR1 IC MOSFET RF N-CHAN NI-360
相关代理商/技术参数
MRF8S9102NR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 50W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9120NR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 120W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9170NR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 50W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9170NR3_10 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
MRF8S9200NR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9200NR3_10 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N--Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET
MRF8S9202GNR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHz 58W OM780-2G RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9202N 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement--Mode Lateral MOSFET